您好,欢迎来到壹方微芯!

SI8497DB-T2-E1

Vishay photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
SI8497DB-T2-E1
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT
详细描述:
表面贴装型 P 通道 30 V 13A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-microfoot
规格说明书:
SI8497DB-T2-E1说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 53 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 49 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1320 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.77W(Ta),13W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-microfoot
封装/外壳 6-UFBGA
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.083953 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥5.346435 ¥5.35
10+ ¥4.57431 ¥45.74
100+ ¥3.415502 ¥341.55
500+ ¥2.683513 ¥1341.76
1000+ ¥2.073745 ¥2073.75
3000+ ¥2.083953 ¥6251.86

相关产品