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SIR616DP-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIR616DP-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
ThunderFET®
描述:
MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 20.2A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK® SO-8
规格说明书:
SIR616DP-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 ThunderFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 7.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 28 nC @ 7.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1450 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 52W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥6.743446 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥14.795948 ¥14.80
10+ ¥13.262889 ¥132.63
100+ ¥10.339632 ¥1033.96
500+ ¥8.541713 ¥4270.86
1000+ ¥6.743446 ¥6743.45
3000+ ¥6.743446 ¥20230.34

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