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NTHD4102PT1G

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制造商编号:
NTHD4102PT1G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 2.9A 1.1W 表面贴装型 ChipFET™
规格说明书:
NTHD4102PT1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 750pF @ 16V
功率 - 最大值 1.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装 ChipFET™
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.483297 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.26301 ¥9.26
10+ ¥8.316815 ¥83.17
100+ ¥6.481496 ¥648.15
500+ ¥5.354243 ¥2677.12
1000+ ¥4.483235 ¥4483.23
3000+ ¥4.483297 ¥13449.89

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