STB20N65M5
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- 制造商编号:
- STB20N65M5
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- MDmesh™ V
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 650 V 18A(Tc) 130W(Tc) D²PAK(TO-263)
- 规格说明书:
- STB20N65M5说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | MDmesh™ V |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 190 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1434 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 130W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
R6024ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥26.65000 | 类似 |
IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | ¥40.32000 | 类似 |
R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | ¥24.42000 | 类似 |
AOB20S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥26.03000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥20.765417 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥34.565325 | ¥34.57 |
10+ | ¥31.061545 | ¥310.62 |
100+ | ¥25.452637 | ¥2545.26 |
500+ | ¥21.667386 | ¥10833.69 |
1000+ | ¥20.765417 | ¥20765.42 |