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APTM100U13SG

Microsemi photo

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制造商编号:
APTM100U13SG
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 1000V 65A MODULE
详细描述:
底座安装 N 通道 1000 V 65A(Tc) 1250W(Tc) 模块
规格说明书:
APTM100U13SG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 Digi-Key 停止提供
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 145 毫欧 @ 32.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2000 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 31600 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1250W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 模块
封装/外壳 J3 模块
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
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