您好,欢迎来到壹方微芯!

BSZ100N03MSGATMA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
BSZ100N03MSGATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 10A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
规格说明书:
BSZ100N03MSGATMA1说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1700 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),30W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
CSD17308Q3 Texas Instruments ¥7.68000 类似
NTTFS4C13NTAG onsemi ¥5.53000 类似
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor ¥3.15000 类似
RQ3E120BNTB Rohm Semiconductor ¥3.61000 类似
CSD17579Q5AT Texas Instruments ¥10.37000 类似

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.132769 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.26301 ¥9.26
10+ ¥8.183776 ¥81.84
100+ ¥6.273606 ¥627.36
500+ ¥4.959328 ¥2479.66
1000+ ¥4.132769 ¥4132.77
5000+ ¥4.132769 ¥20663.84

相关产品