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BSM150GB120DN2HOSA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSM150GB120DN2HOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IGBT MOD 1200V 210A 1250W
详细描述:
IGBT 模块 - 半桥 1200 V 210 A 1250 W 底座安装 模块
规格说明书:
BSM150GB120DN2HOSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 托盘
零件状态 不适用于新设计
IGBT 类型 -
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 210 A
功率 - 最大值 1250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 3V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值) 2.8 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 11 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 10

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
10 / PCS
包装
托盘
单价:¥2224.430328 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
10+ ¥2224.430328 ¥22244.30

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