在线客服 
IRFH8202TRPBF
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRFH8202TRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®, StrongIRFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 25 V 47A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
- 规格说明书：
- IRFH8202TRPBF说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 47A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.05 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7174 pF @ 13 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），160W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 4,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥10.618406 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.811991 | ￥18.81 |
| 10+ | ￥16.882301 | ￥168.82 |
| 100+ | ￥13.569998 | ￥1357.00 |
| 500+ | ￥11.149331 | ￥5574.67 |
| 1000+ | ￥10.618406 | ￥10618.41 |
| 4000+ | ￥10.618406 | ￥42473.62 |
