IRFH8202TRPBF
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- 制造商编号:
- IRFH8202TRPBF
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®, StrongIRFET™
- 描述:
- MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 25 V 47A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),160W(Tc) 8-PQFN(5x6)
- 规格说明书:
- IRFH8202TRPBF说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET®, StrongIRFET™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 47A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.05 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 150µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7174 pF @ 13 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.6W(Ta),160W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-PQFN(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 4,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥17.246082 | ¥17.25 |
10+ | ¥15.477019 | ¥154.77 |
100+ | ¥12.440432 | ¥1244.04 |
500+ | ¥10.221261 | ¥5110.63 |
1000+ | ¥9.73453 | ¥9734.53 |
4000+ | ¥9.73453 | ¥38938.12 |