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TPH3206LDGB

Transphorm photo

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制造商编号:
TPH3206LDGB
制造商:
Transphorm
系列:
-
描述:
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 16A(Tc) 81W(Tc) PQFN(8x8)
规格说明书:
TPH3206LDGB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Transphorm
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 11A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 760 pF @ 480 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 81W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PQFN(8x8)
封装/外壳 3-PowerDFN
标准包装 60

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库存
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标准包装
60 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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