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VP0808B-E3

Vishay photo

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制造商编号:
VP0808B-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
详细描述:
通孔 P 通道 80 V 880mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
规格说明书:
VP0808B-E3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 880mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 150 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 6.25W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-39
封装/外壳 TO-205AD,TO-39-3 金属罐
标准包装 100

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
100 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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