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RJH65D27BDPQ-A0#T2
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- 制造商编号：
- RJH65D27BDPQ-A0#T2
- 制造商：
- Renesas瑞萨
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
- 详细描述：
- IGBT 沟道 650 V 100 A 375 W 通孔 TO-247A
- 规格说明书：
- RJH65D27BDPQ-A0#T2说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Renesas(瑞萨) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟道 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 1.65V @ 15V，50A |
| 功率 - 最大值 | 375 W |
| 开关能量 | 1mJ（开），1.5mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 175 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 20ns/165ns |
| 测试条件 | 400V，50A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 80 ns |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247A |
| 标准包装 | 1 |
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- 包装
- 管件
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