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HP8MA2TB1

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
HP8MA2TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 18A(Ta),15A(Ta) 3W(Ta) 表面贴装型 8-HSOP
规格说明书:
HP8MA2TB1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Ta),15A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.6mOhm @ 18A,10V,17.9mOhm @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V,25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1100pF @ 15V,1250pF @ 15V
功率 - 最大值 3W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-HSOP
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥14.795383 ¥14.80
10+ ¥13.27025 ¥132.70
100+ ¥10.665556 ¥1066.56
500+ ¥8.762491 ¥4381.25
1000+ ¥7.260338 ¥7260.34
2500+ ¥6.82791 ¥17069.78

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