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APTM60H23FT1G

Microchip photo

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制造商编号:
APTM60H23FT1G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
详细描述:
MOSFET - 阵列 4 个 N 通道(H 桥) 600V 20A 208W 底座安装 SP1
规格说明书:
APTM60H23FT1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 276 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5316pF @ 25V
功率 - 最大值 208W
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP1
供应商器件封装 SP1
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
15+ ¥596.269121 ¥8944.04

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