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DMG4N60SCT

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制造商编号:
DMG4N60SCT
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 4.5A(Ta) 113W(Ta) TO-220-3
规格说明书:
DMG4N60SCT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.5 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 532 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 113W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
AOT4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥8.45000 类似
STP4NK60Z STMicroelectronics ¥13.82000 类似
STP4N80K5 STMicroelectronics ¥16.20000 类似

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50 / PCS
包装
管件
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