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SI6467BDQ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI6467BDQ-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 12 V 6.8A（Ta） 8-TSSOP
- 规格说明书：
- SI6467BDQ-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.5 毫欧 @ 8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 450µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70 nC @ 4.5 V |
| FET 功能 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 剪切带（CT）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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