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SI7106DN-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SI7106DN-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
详细描述:
表面贴装型 N 通道 20 V 12.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK® 1212-8
规格说明书:
SI7106DN-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.2 毫欧 @ 19.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
标准包装 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
AON7404 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥7.22000 类似

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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥14.350837 ¥14.35
10+ ¥12.824565 ¥128.25
100+ ¥9.9968 ¥999.68
500+ ¥8.258445 ¥4129.22
1000+ ¥6.519862 ¥6519.86
3000+ ¥6.519862 ¥19559.59

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