FDC021N30
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- 制造商编号:
- FDC021N30
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- PowerTrench®
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 6.1A(Ta) 700mW(Ta) SuperSOT™-6
- 规格说明书:
- FDC021N30说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.1A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 26 毫欧 @ 6.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 710 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SuperSOT™-6 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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RQ6E055BNTCR | Rohm Semiconductor | ¥5.30000 | 类似 |
RQ6E045BNTCR | Rohm Semiconductor | ¥3.23000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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