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SIHB12N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB12N60E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 12A（Tc） 147W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- SIHB12N60E-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 58 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 937 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 147W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB13N60M2 | STMicroelectronics | ¥17.13000 | 类似 |
| R6011ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥26.42000 | 类似 |
| IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | ¥26.65000 | 类似 |
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | ¥16.44000 | 类似 |
| STB13NM60N | STMicroelectronics | ¥37.48000 | 类似 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥10.556337 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥20.726761 | ￥20.73 |
| 10+ | ￥18.649112 | ￥186.49 |
| 100+ | ￥14.989912 | ￥1498.99 |
| 500+ | ￥12.315824 | ￥6157.91 |
| 1000+ | ￥10.556337 | ￥10556.34 |
