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IXTU02N50D
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- 制造商编号：
- IXTU02N50D
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Depletion
- 描述：
- MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 500 V 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
- 规格说明书：
- IXTU02N50D说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Depletion |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 欧姆 @ 50mA，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 25µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 120 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta），25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 70 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 70 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.983914 | ￥16.98 |
| 10+ | ￥15.266145 | ￥152.66 |
| 100+ | ￥12.273557 | ￥1227.36 |
| 500+ | ￥10.083589 | ￥5041.79 |
| 1000+ | ￥8.354991 | ￥8354.99 |
| 2000+ | ￥7.857351 | ￥15714.70 |
