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1N5248B A0G

Taiwan Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
1N5248B A0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 18V 500MW DO35
详细描述:
二极管 - 齐纳 18 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
规格说明书:
1N5248B A0G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 带盒(TB)
零件状态 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 18 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 21 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100 nA @ 14 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 200 mA
工作温度 100°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
BZX79C18-T50A onsemi ¥1.31000 类似
BZX55B18-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.77000 类似
BZX55C18-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.61000 类似
1N5248B onsemi ¥1.23000 直接
BZX55C18-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.61000 类似

价格库存

库存
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标准包装
5,000 / PCS
包装
带盒(TB)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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