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BSH205G2R
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSH205G2R
- 制造商：
- Nexperia安世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 2A（Ta） 480mW（Ta） TO-236AB
- 规格说明书：
- BSH205G2R说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Nexperia(安世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 170 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 418 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 480mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SSM3J325F,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥3.30000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥1.049928 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.960994 | ￥4.96 |
| 10+ | ￥3.771102 | ￥37.71 |
| 100+ | ￥2.347085 | ￥234.71 |
| 500+ | ￥1.605696 | ￥802.85 |
| 1000+ | ￥1.235201 | ￥1235.20 |
| 3000+ | ￥1.111673 | ￥3335.02 |
| 6000+ | ￥1.049928 | ￥6299.57 |
