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SIZF906ADT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZF906ADT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（双），肖特基 30V 27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（6x5）
- 规格说明书：
- SIZF906ADT-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 49nC @ 10V，200nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000pF @ 15V，8200pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair®（6x5） |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.795383 | ￥14.80 |
| 10+ | ￥13.236054 | ￥132.36 |
| 100+ | ￥10.316645 | ￥1031.66 |
| 500+ | ￥8.522277 | ￥4261.14 |
| 1000+ | ￥6.728115 | ￥6728.11 |
| 3000+ | ￥6.728115 | ￥20184.35 |
