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SI3442BDV-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI3442BDV-T1-E3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 3A（Ta） 860mW（Ta） 6-TSOP
- 规格说明书：
- SI3442BDV-T1-E3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 295 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 860mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| ZXMN2A03E6TA | Diodes Incorporated | ¥6.99000 | 类似 |
| ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | ¥6.99000 | 类似 |
| ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | ¥4.84000 | 类似 |
| AO6404 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥3.53000 | 类似 |
| NTGS3130NT1G | onsemi | ¥6.99000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.425734 | ￥5.43 |
| 10+ | ￥4.762335 | ￥47.62 |
| 100+ | ￥3.653935 | ￥365.39 |
| 500+ | ￥2.888838 | ￥1444.42 |
| 1000+ | ￥2.311078 | ￥2311.08 |
| 3000+ | ￥2.166634 | ￥6499.90 |
