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MSCSM170DUM058AG

Microchip photo

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制造商编号:
MSCSM170DUM058AG
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
PM-MOSFET-SIC-SP6C
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共源 1700V(1.7kV) 353A(Tc) 1642W(Tc) 底座安装 -
规格说明书:
MSCSM170DUM058AG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
封装/外壳 模块
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共源
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1700V(1.7kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 353A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 毫欧 @ 180A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.3V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1068nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 19800pF @ 1000V
功率 - 最大值 1642W(Tc)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 -
标准包装 1

价格库存

库存
2
货期
大陆:7~10天
标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥5983.357157 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥5983.357157 ¥5983.36

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