PSMN4R3-30BL,118
![Nexperia photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Nexperia.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Nexperia/wGE57yqg.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Nexperia/wGE57yqg.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- PSMN4R3-30BL,118
- 制造商:
- Nexperia安世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 100A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
- 规格说明书:
- PSMN4R3-30BL,118说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Nexperia(安世) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.1 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2400 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 103W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | ¥14.21000 | 类似 |
IRL7833STRLPBF | Infineon Technologies | ¥19.66000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥13.131187 | ¥13.13 |
10+ | ¥11.704082 | ¥117.04 |
100+ | ¥9.124921 | ¥912.49 |
800+ | ¥7.537609 | ¥6030.09 |
1600+ | ¥5.950787 | ¥9521.26 |
相关产品
P51-2000-A-M-I36-20MA-000-000 Amphenol SSI Technologies
描述:SENSOR 2000PSI M10-1.0 6G 4-20MA
价格:¥1781.418802
P51-1500-S-AD-M12-4.5OVP-000-000 Amphenol SSI Technologies
描述:SENSOR 1500PSI 7/16-20 UNF 4.5V
价格:¥1354.228911
PWD-5522-08-TNC-79 Cinch Connectivity Solutions Midwest Microwave
描述:RF PWR DIVIDER 2GHZ-8GHZ MODULE
价格:¥0