IRF7451TRPBF
![Infineon photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Infineon Technologies.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Infineon/9MTBWK0y.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Infineon/9MTBWK0y.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IRF7451TRPBF
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 150 V 3.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
- 规格说明书:
- IRF7451TRPBF说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 90 毫欧 @ 2.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 990 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥13.564334 | ¥13.56 |
10+ | ¥12.149768 | ¥121.50 |
100+ | ¥9.470641 | ¥947.06 |
500+ | ¥7.823725 | ¥3911.86 |
1000+ | ¥6.862926 | ¥6862.93 |
4000+ | ¥6.862926 | ¥27451.70 |