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IPC302N20NFDX1SA1
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- 制造商编号：
- IPC302N20NFDX1SA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 200 V 1A（Tj） - 带箔切割晶片
- 规格说明书：
- IPC302N20NFDX1SA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| Vgs（最大值） | - |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 带箔切割晶片 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 标准包装 | 1 |
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- 1 / PCS
- 包装
- 散装
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