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STGWF40V60DF

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制造商编号:
STGWF40V60DF
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT BIPO 600V 40A TO3P
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 40 A 通孔 TO-3PF
规格说明书:
STGWF40V60DF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) -
开关能量 456µJ(开),411µJ(关)
输入类型 标准
25°C 时 Td(开/关)值 -
测试条件 -
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装 TO-3PF
标准包装 30

价格库存

库存
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标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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