APT75GN120B2G
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- 制造商编号:
- APT75GN120B2G
- 制造商:
- Microchip微芯
- 系列:
- -
- 描述:
- IGBT 1200V 200A 833W TMAX
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 1200 V 200 A 833 W 通孔
- 规格说明书:
- APT75GN120B2G说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microchip(微芯) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 225 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,75A |
功率 - 最大值 | 833 W |
开关能量 | 8045µJ(开),7640µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 425 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 60ns/620ns |
测试条件 | 800V,75A,1 欧姆,15V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
标准包装 | 1 |
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥156.173721 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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40+ | ¥156.173721 | ¥6246.95 |