TPN1110ENH,L1Q
![Toshiba photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Toshiba Semiconductor and Storage.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Toshiba/7QvaPyc7.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Toshiba/7QvaPyc7.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- TPN1110ENH,L1Q
- 制造商:
- Toshiba东芝
- 系列:
- U-MOSVIII-H
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 200 V 7.2A(Ta) 700mW(Ta),39W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1)
- 规格说明书:
- TPN1110ENH,L1Q说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Toshiba(东芝) |
系列 | U-MOSVIII-H |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 114 毫欧 @ 3.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 200µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 600 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta),39W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-TSON Advance(3.1x3.1) |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 5,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥14.008879 | ¥14.01 |
10+ | ¥12.553278 | ¥125.53 |
100+ | ¥9.789232 | ¥978.92 |
500+ | ¥8.086463 | ¥4043.23 |
1000+ | ¥6.384048 | ¥6384.05 |
2000+ | ¥5.958447 | ¥11916.89 |
5000+ | ¥5.803688 | ¥29018.44 |