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G65P06D5

Goford Semiconductor photo

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制造商编号:
G65P06D5
制造商:
Goford Semiconductor
系列:
-
描述:
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
详细描述:
表面贴装型 P 通道 60 V 60A(Tc) 130W(Tc) 8-DFN(4.9x5.75)
规格说明书:
G65P06D5说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Goford Semiconductor
系列 -
封装/外壳 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 18 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 75 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5814 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 130W(Tc)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-DFN(4.9x5.75)
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥5.622249 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥13.614759 ¥13.61
10+ ¥12.161275 ¥121.61
100+ ¥9.482835 ¥948.28
500+ ¥7.833671 ¥3916.84
1000+ ¥6.184483 ¥6184.48
2000+ ¥5.772185 ¥11544.37
5000+ ¥5.622249 ¥28111.24

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