在线客服 
SQJ504EP-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQJ504EP-T1_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 40V 30A（Tc） 34W（Tc） 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
- 规格说明书：
- SQJ504EP-T1_GE3说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 8A，10V，17 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V，85nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1900pF @ 25V，4600pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 34W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.795383 | ￥14.80 |
| 10+ | ￥13.200719 | ￥132.01 |
| 100+ | ￥10.289174 | ￥1028.92 |
| 500+ | ￥8.50005 | ￥4250.02 |
| 1000+ | ￥6.710515 | ￥6710.52 |
| 3000+ | ￥6.710515 | ￥20131.54 |
