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DMC1229UFDB-13

Diodes photo

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制造商编号:
DMC1229UFDB-13
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 12V 5.6A,3.8A 1.4W 表面贴装型 U-DFN2020-6(B 类)
规格说明书:
DMC1229UFDB-13说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.6A,3.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 19.6nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 914pF @ 6V
功率 - 最大值 1.4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 U-DFN2020-6(B 类)
标准包装 10,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
10,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.561184 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
10000+ ¥1.561184 ¥15611.84

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