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IPG20N06S2L50ATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IPG20N06S2L50ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 55V 20A 51W 表面贴装型 PG-TDSON-8-4
规格说明书:
IPG20N06S2L50ATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 19µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 560pF @ 25V
功率 - 最大值 51W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8-4
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
5000+ ¥5.54461 ¥27723.05

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