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IXTY08N50D2
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- 制造商编号：
- IXTY08N50D2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Depletion
- 描述：
- MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 500 V 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252AA
- 规格说明书：
- IXTY08N50D2说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Depletion |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 800mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.6 欧姆 @ 400mA，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.7 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 312 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 60W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 70 |
价格库存
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- 标准包装
- 70 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥10.762175 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥23.30051 | ￥23.30 |
| 10+ | ￥20.910778 | ￥209.11 |
| 100+ | ￥16.810187 | ￥1681.02 |
| 500+ | ￥13.811408 | ￥6905.70 |
| 1000+ | ￥11.443746 | ￥11443.75 |
| 2000+ | ￥10.762175 | ￥21524.35 |
