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IRF5852TR
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- 制造商编号：
- IRF5852TR
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 2.7A 960mW 表面贴装型 6-TSOP
- 规格说明书：
- IRF5852TR说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 960mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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