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MCCD2005-TP

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制造商编号:
MCCD2005-TP
制造商:
MCC美微科
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 8A
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 8A - 表面贴装型 DFN2030-6
规格说明书:
MCCD2005-TP说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 MCC(美微科)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 13 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1800pF @ 10V
功率 - 最大值 -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 DFN2030-6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.468251 ¥4.47
10+ ¥3.623615 ¥36.24
100+ ¥2.465061 ¥246.51
500+ ¥1.848785 ¥924.39
1000+ ¥1.386594 ¥1386.59
3000+ ¥1.271046 ¥3813.14
6000+ ¥1.194015 ¥7164.09

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