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STB8NM60D
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- 制造商编号：
- STB8NM60D
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 8A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
- 规格说明书：
- STB8NM60D说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 380 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FQB7N60TM | onsemi | ¥22.96000 | 类似 |
| IXFA10N80P | IXYS | ¥35.17000 | 类似 |
| R6004ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥10.06000 | 类似 |
| IRFBC40ASPBF | Vishay Siliconix | ¥35.79000 | 类似 |
| R6004KNJTL | Rohm Semiconductor | ¥7.47192 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥25.909018 | ￥25.91 |
| 10+ | ￥23.294179 | ￥232.94 |
| 100+ | ￥19.084904 | ￥1908.49 |
| 500+ | ￥16.246402 | ￥8123.20 |
| 1000+ | ￥15.57026 | ￥15570.26 |
