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IRF5810TRPBF

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制造商编号:
IRF5810TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 2.9A 960mW 表面贴装型 6-TSOP
规格说明书:
IRF5810TRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 650pF @ 16V
功率 - 最大值 960mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装 6-TSOP
标准包装 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
IRF7304TRPBF Infineon Technologies ¥8.60000 类似

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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
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