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FCD850N80Z
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- 制造商编号：
- FCD850N80Z
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- SuperFET® II
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 800 V 6A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
- 规格说明书：
- FCD850N80Z说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | SuperFET® II |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1315 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 75W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | ¥7.83000 | 直接 |
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | ¥6.37000 | 直接 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥12.550843 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥23.30051 | ￥23.30 |
| 10+ | ￥20.902075 | ￥209.02 |
| 100+ | ￥16.803597 | ￥1680.36 |
| 500+ | ￥13.805863 | ￥6902.93 |
| 1000+ | ￥12.550806 | ￥12550.81 |
| 2500+ | ￥12.550843 | ￥31377.11 |
