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CSD18535KTTT

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制造商编号:
CSD18535KTTT
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 60 V 200A(Ta),279A(Tc) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
规格说明书:
CSD18535KTTT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200A(Ta),279A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 81 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6620 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DDPAK/TO-263-3
封装/外壳 TO-263-4,D²Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥36.498317 ¥36.50
10+ ¥32.748178 ¥327.48
50+ ¥30.960193 ¥1548.01
100+ ¥26.831962 ¥2683.20
250+ ¥25.455855 ¥6363.96
500+ ¥22.841632 ¥11420.82
1250+ ¥21.890897 ¥27363.62

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