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BUR51
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 200 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.5V @ 5A，50A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 5A，4V |
| 功率 - 最大值 | 350 W |
| 频率 - 跃迁 | 16MHz |
| 工作温度 | 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 标准包装 | 20 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| MJ15022G | Rochester Electronics, LLC | ¥62.97000 | 类似 |
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