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TC58BYG0S3HBAI6
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TC58BYG0S3HBAI6
- 制造商：
- Kioxia柯夏
- 系列：
- Benand™
- 描述：
- IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
- 详细描述：
- FLASH - NAND（SLC） 存储器 IC 1Gb（128M x 8） 并联 25 ns 67-VFBGA（6.5x8）
- 规格说明书：
- TC58BYG0S3HBAI6说明书
- RoHS 状态
- 符合 ROHS3 规范
- 湿气敏感性等级 (MSL)
- 3（168 小时）
- REACH 状态
- 非 REACH 产品
- ECCN
- 3A991B1A
- HTSUS
- 8542.32.0071
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Kioxia(柯夏) |
| 系列 | Benand™ |
| 包装 | 托盘 |
| 零件状态 | 在售 |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 技术 | FLASH - NAND（SLC） |
| 存储容量 | 1Gb（128M x 8） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页 | 25ns |
| 访问时间 | 25 ns |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 67-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 67-VFBGA（6.5x8） |
| 标准包装 | 338 |
文档与视频信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 规格书 | TC58BYG0S3HBAI6 |
| 特色产品 | SLC NAND Flash Memory |
| HTML 规格书 | TC58BYG0S3HBAI6 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TC58NYG0S3HBAI6 | Kioxia America, Inc. | ¥21.96000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 27
- 货期
- 大陆：7~10天
- 标准包装
- 338 / PCS
- 包装
- 托盘
单价：￥19.765497 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥30.176274 | ￥30.18 |
| 10+ | ￥27.127563 | ￥271.28 |
| 25+ | ￥26.705319 | ￥667.63 |
| 40+ | ￥26.635815 | ￥1065.43 |
| 80+ | ￥23.800961 | ￥1904.08 |
| 338+ | ￥23.018517 | ￥7780.26 |
| 676+ | ￥22.934876 | ￥15503.98 |
| 1014+ | ￥21.356447 | ￥21655.44 |
| 5070+ | ￥19.765497 | ￥100211.07 |
