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TPS1101DR
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- 制造商编号：
- TPS1101DR
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 15 V 2.3A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
- 规格说明书：
- TPS1101DR说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 15 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +2V，-15V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 791mW（Ta） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDS6375 | onsemi | ¥7.45000 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥12.164856 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 2500+ | ￥12.164856 | ￥30412.14 |
