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SI5517DU-T1-E3

Vishay photo

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制造商编号:
SI5517DU-T1-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 6A 8.3W 表面贴装型 PowerPAK® ChipFet 双
规格说明书:
SI5517DU-T1-E3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 39 毫欧 @ 4.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 520pF @ 10V
功率 - 最大值 8.3W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® CHIPFET™ 双
供应商器件封装 PowerPAK® ChipFet 双
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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