ZXMC3F31DN8TA
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- 制造商编号:
- ZXMC3F31DN8TA
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6.8A,4.9A 1.8W 表面贴装型 8-SO
- 规格说明书:
- ZXMC3F31DN8TA说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A,4.9A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 24 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.9nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 608pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.8W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
标准包装 | 500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥3.17623 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥7.447708 | ¥7.45 |
10+ | ¥6.550005 | ¥65.50 |
100+ | ¥5.022541 | ¥502.25 |
500+ | ¥3.970288 | ¥1985.14 |
1000+ | ¥3.17623 | ¥3176.23 |