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APTSM120AM08CT6AG

Microsemi photo

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制造商编号:
APTSM120AM08CT6AG
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
POWER MODULE - SIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(双),肖特基 1200V(1.2kV) 370A(Tc) 2300W 底座安装 SP6
规格说明书:
APTSM120AM08CT6AG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(双),肖特基
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 370A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 200A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1360nC @ 20V
功率 - 最大值 2300W
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP6
供应商器件封装 SP6
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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