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2N5460
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40 V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 1 mA @ 15 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 750 mV @ 1 µA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 350 mW |
| 工作温度 | -65°C ~ 135°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 长体 |
| 供应商器件封装 | TO-92（TO-226） |
| 标准包装 | 1,000 |
文档与视频信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 规格书 | 2N5460, 61, 62 |
| 环保信息 | onsemi RoHS |
| PCN 产品变更/停产 | Multiple Devices 30/Jun/2006 |
| HTML 规格书 | 2N5460, 61, 62 |
| EDA 模型 | 2N5460 by Ultra Librarian |
价格库存
- 库存
- 货期
大陆：7~10天送达
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥0 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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