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    APT44GA60BD30

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    制造商编号：
    APT44GA60BD30
    制造商：
    Microchip微芯
    系列：
    POWER MOS 8™
    描述：
    IGBT 600V 78A 337W TO-247
    详细描述：
    IGBT PT 600 V 78 A 337 W 通孔 TO-247 [B]
    规格说明书：
    APT44GA60BD30说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Microchip(微芯)
    系列 POWER MOS 8™
    包装 管件
    零件状态 在售
    IGBT 类型 PT
    电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V
    电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 78 A
    电流 - 集电极脉冲 (Icm) 130 A
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.5V @ 15V，26A
    功率 - 最大值 337 W
    开关能量 409µJ（开），258µJ（关）
    输入类型 标准
    栅极电荷 128 nC
    25°C 时 Td（开/关）值 16ns/84ns
    测试条件 400V，26A，4.7 欧姆，15V
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 通孔
    封装/外壳 TO-247-3
    供应商器件封装 TO-247 [B]
    标准包装 1

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    1 / PCS
    包装
    管件
    单价：￥67.004509 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    80+ ￥67.004509 ￥5360.36

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