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TK6Q65W,S1Q
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- 制造商编号：
- TK6Q65W,S1Q
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- DTMOSIV
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 5.8A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
- 规格说明书：
- TK6Q65W,S1Q说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | DTMOSIV |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.05 欧姆 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 180µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 390 pF @ 300 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 60W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装 | 75 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPU80R1K0CEAKMA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥4.11268 | 类似 |
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- 管件
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 75+ | ￥10.793669 | ￥809.53 |
